先確認量測條件
| 量測目標 | 氣體／光譜線、濃度與光程 |
|---|---|
| 光源／架構 | 雷射或寬頻光源、掃描／調變方式 |
| 光學條件 | 波長、光斑、入射角與光功率 |
| 訊號條件 | 頻寬、雜訊、動態範圍與讀出介面 |
| 環境／配套 | 環境溫度、TEC、散熱與前置放大 |
由光源與量測架構展開選型
| 量測架構 | 先確認 | 選型重點 |
|---|---|---|
| 寬頻光源／NDIR | 光源、濾光片、吸收波段、光程與調變方式 | 可從 AM／AMS 評估；仍須確認訊噪比、背景與校正。 |
| 可調諧雷射／TDLAS | 實際雷射波長、掃描／調變、光功率與干涉 | 另評估抗干涉結構與窗片；一般模組不能直接保證消除 etalon。 |
| FTIR／寬頻光譜 | 量測光譜範圍、光束幾何、掃描速度與接收頻寬 | 依實際響應曲線與訊號鏈選型，不只看最大截止波長。 |
- 光源／量測目標
- 濾光片與光學耦合
- 紅外線偵測模組
- 差動接收／ADC
- 訊號處理與校正
模組提供感測及類比訊號鏈的一部分；完整量測仍需配置光學、電源、讀出與校正。
選型與整合重點
- 抗干涉設計可降低特定雷射量測中的 etalon 效應，仍須一併檢查窗片與外部光學。
- 各氣體可有多個吸收波段；不能只依氣體名稱指定偵測器。
- 偵測器／模組不包含完整氣室、光源、氣路及濃度反算校正。
可進一步評估的產品
以下為討論選型的起點，實際配置需依上述條件確認。
AMS3140-01 紅外線偵測模組
2.0–5.5 μm（Tchip −20°C），整合 1TE 溫控與差動放大，採 3.3 V 供電及板對板介面，供中紅外線單通道量測整合。
AM03100-02 紅外線偵測模組
1.7–5.9 μm（Tamb 20°C），無 TEC、內建差動放大；以 3.0 V 工作點及 10 × 10 mm 可焊接 PCB 評估嵌入式整合。
PVA-3TE-5 AF 抗干涉紅外線偵測器
可調諧雷射氣體光譜與雷射控制；依光譜線、訊號頻寬及光學配置選型。
PVIA-4TE-10 紅外線偵測器
FTIR、長波紅外光譜及 CO₂ 雷射量測；依原廠線性與功率限制配置。
原廠英文文件與資料
提供需求，開始選型評估
請提供型號或應用、波長、訊號頻寬、數量及預計交期；尚未確定的項目可先留待討論。
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