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VIGO 紅外線感測產品選型目錄

本頁將 VIGO 紅外線偵測器、偵測模組、多通道陣列、DevKit 快速驗證套件、Epi-Wafers 磊晶晶圓材料與關鍵技術 整理為 SMART 台灣應用選型目錄,協助研發、系統整合、半導體製程、光譜分析與材料開發單位進行初步評估。

精選型號、產品圖與公開規格資料

PVIA-4TE-4 InAsSb photovoltaic infrared detector
4 μm / InAsSb / 熱電冷卻

PVIA-4TE-4 1×1 TO8

適合 4 μm 附近氣體偵測、光譜量測與中紅外線感測應用,可作為 CH₄、HCl、NH₃、SO₂、CO₂ 等方向的初步詢問型號。

氣體分析TDLAS / FTIR中紅外線
PVA-3TE-5 AF InAs infrared detector
5 μm / InAs / 光學浸沒

PVA-3TE-5 AF 1×1 AR TO8

適合 5 μm 波段氣體分析、非接觸式溫度量測、工業與實驗室製程監測等應用,可作為高靈敏度中紅外線偵測器選型入口。

製程監測氣體洩漏溫度量測
PVIA-4TE-10 infrared detector
10.6 μm / 長波紅外線 / 熱電冷卻

PVIA-4TE-10 1×1 TO8

適合 10.6 μm 附近紅外線偵測、CO₂ 雷射 monitoring 與長波紅外線應用評估,可依實際頻寬與封裝條件進一步確認。

長波紅外線雷射量測客製系統
32EM-5-01 32-channel detector array
32 通道 / 陣列

32EM-5-01

適合多點感測、追蹤定位、移動式平台與成像前端評估。若需求涉及平台尺寸、視角或多通道同步,建議先提供系統架構。

多通道陣列移動式感測平台整合
32MM-5 MWIR multi-channel detection module
中波紅外線 / 偵測模組

32MM-5 偵測模組

適合中波紅外線多通道偵測與系統整合測試。若需要縮短訊號鏈設計時間,可搭配模組、配件與原廠資料進一步確認。

偵測模組中波紅外線系統整合
VIGO Epi-Wafers III-V and II-VI epitaxial materials
III-V / II-VI / 光電材料

Epi-Wafers 磊晶晶圓材料

適合 QCL、VCSEL、光偵測器、電晶體、光電元件與材料研發。建議提供材料系統、晶圓尺寸、數量、試作或量產需求。

光電材料2 / 3 / 4 / 6-inch研發與試作

指定型號與偵測架構對照

PC-9 系列 / HgCdTe / 光導型

PC-4TE-9-1×1-TO8

四級熱電冷卻光導型紅外線偵測器,適合 9 μm 附近氣體分析、FTIR 光譜與特定中長波紅外線量測需求。

SO₂ / NH₃FTIR熱電冷卻
PC-5 系列 / HgCdTe / 光導型

PC-2TE-5-1×1-TO8

二級熱電冷卻光導型紅外線偵測器,適合 5 μm 波段氣體偵測、洩漏偵測、燃燒控制、非破壞材料檢測與溫度監測應用。

5 μm氣體洩漏製程監測
PVM-10.6 系列 / HgCdTe / 多接面光伏型

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90

10.6 μm 多接面光伏型紅外線偵測器,適合 CO₂ 雷射量測、FTIR 光譜、SO₂ / NH₃ / SF₆ 等氣體監測與長波紅外線應用。

10.6 μmCO₂ 雷射FTIR

PC / PVM 偵測架構與詢價條件

型號 系列 / 偵測架構 主要應用方向 詢問時建議補充
PC-4TE-9-1×1-TO8 PC-9 series;HgCdTe 光導型;四級熱電冷卻;TO8 封裝 SO₂、NH₃ 氣體偵測、FTIR spectroscopy、中長波紅外線量測 目標氣體、光源波段、反應速度、放大器需求、數量與交期
PC-2TE-5-1×1-TO8 PC-5 series;HgCdTe 光導型;二級熱電冷卻;TO8 封裝 5 μm 氣體偵測、洩漏偵測、燃燒控制、非破壞材料檢測、溫度監測 氣體種類、量測距離、封裝限制、冷卻條件、系統頻寬
PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90 PVM-10.6 series;HgCdTe 多接面光伏型;TO39 封裝 CO₂ 雷射 measurement、SO₂ / NH₃ / SF₆ 監測、FTIR spectroscopy 雷射或氣體波段、輸出訊號、放大器配置、視角需求、數量與交期

VIGO 台灣市場推薦方案

製程氣體與高階光譜

中紅外氣體分析與高階光譜偵測

面向高階 FTIR、TDLAS、製程與環境氣體分析。依目標吸收線、訊號強度與反應速度,評估長波紅外線熱電冷卻偵測器或專用中波紅外線偵測器。

2–16 μmFTIR / TDLASLWIR / MWIR
可攜式氣體分析

AM / SMD 可攜式氣體分析模組

面向一氧化碳分析、可攜式氣體分析與嵌入式紅外線感測。當預算、體積與量產性是核心條件時,優先評估 AM / SMD 模組系列。

AM / SMD一氧化碳分析嵌入式感測
非接觸溫度量測

非接觸溫度量測與設備熱監測

面向設備熱異常、工業安全、軌道軸溫監測與高速溫度監控。常見方向為中波紅外線熱電冷卻偵測器,需同步確認量測距離、視場與反應速度。

MWIR TE-cooled軌道軸溫熱監測
CO₂ 雷射校正與控制

CO₂ 雷射校正與功率控制

面向半導體、PCB 製造、醫療與工業雷射控制。多數需求對應 10.6 μm 與非冷卻式長波紅外線偵測器,實際型號依功率、光路與響應條件確認。

10.6 μm非冷卻式 LWIR雷射功率控制
高階中波紅外線陣列

高階 MWIR FPA 與熱影像專案

面向高階熱影像、觀測系統、科研平台與專案型感測模組。目前以專案評估與規格確認為主,供貨能力、時程與詳細規格需由 SMART 協助確認。

MWIR FPA專案評估熱影像

市場應用與產品線對照表

台灣市場入口 優先產品線 典型應用 選型條件 建議詢問資料
中紅外氣體分析與高階光譜偵測 長波紅外線熱電冷卻偵測器、專用中波紅外線偵測器、PC / PCI / PVA / PVIA / PVM 系列 高階 FTIR、TDLAS、製程氣體、排放監測、環境氣體分析 2–16 μm 目標波段、氣體吸收線、D* / 響應度、反應速度、冷卻方式 目標氣體、波長範圍、濃度範圍、光源、反應速度、數量與交期
AM / SMD 可攜式氣體分析模組 AM 系列、SMD 系列、InAsSb 經濟型紅外線偵測模組 一氧化碳分析、可攜式氣體分析、嵌入式紅外線感測與成本敏感型氣體分析設備 模組尺寸、成本目標、輸出介面、供電、濾波、系統空間、量產性 目標氣體、預估年用量、平台尺寸、輸出需求、是否需要完整 datasheet
非接觸溫度量測與設備熱監測 中波紅外線熱電冷卻偵測器、相關偵測模組 軌道軸溫監測、設備熱異常、工業安全與非接觸溫度量測 溫度範圍、量測距離、視場、反應速度、封裝、冷卻與環境條件 目標溫度、距離、光學配置、環境溫度、反應時間、安裝限制
CO₂ 雷射校正與功率控制 非冷卻式長波紅外線偵測器、10.6 μm 偵測器系列 半導體、PCB 製造、醫療雷射、工業雷射功率控制與校正 10.6 μm、雷射功率、光路配置、反應速度、封裝與散熱條件 雷射波長、功率範圍、光斑尺寸、取樣方式、輸出介面與數量
高階 MWIR FPA 與熱影像專案 MWIR FPA、專案型 detection module 高階熱影像、觀測系統、科研平台與專案型紅外線感測模組 波段、像素格式、pixel pitch、冷卻方式、讀出介面、平台整合條件 應用場景、規格需求、專案階段、預估數量、交期與授權資料需求

應用導向紅外線感測方案矩陣

製程氣體與光譜分析

PC / PCI / PVA / PVIA 系列

面向製程氣體、FTIR、TDLAS、排放監測與氣體洩漏分析。選型重點是目標波段、氣體吸收線、偵測靈敏度、冷卻方式與放大器配置。

模組化紅外線感測

LabM / microM / UM / UHSM / 32MM / 32EM

適合希望縮短電路與光機整合時間的系統廠、儀器開發與平台整合專案。選型重點是輸出介面、頻寬、體積、供電、散熱與多通道需求。

訊號鏈驗證與配件整合

DevKit / Amplifiers / Filters / TEC

適合研發初期、樣機驗證與實驗室導入。可協助確認放大器、濾波、SMA 輸出、數位處理、USB 讀取、TEC 控制器與散熱配置。

光電材料與晶圓服務

Epi-Wafers / III-V / II-VI

適合半導體、光電材料、雷射與感測元件研發。詢問時建議提供材料系統、晶圓尺寸、數量、結構條件、試作或量產時程。

高階中波紅外線陣列

MWIR FPA / 專案型感測模組

適合高階影像感測、熱偵測與專案型平台評估。公開頁面以技術能力與專案詢問呈現,詳細規格依原廠授權資料提供。

技術條件與資料準備表

方案定位 對應產品線 適用客戶 / 應用 關鍵技術條件 詢問時建議提供
製程氣體與光譜分析 PC / PCI / PVA / PVIA / PVI / PVM 半導體製程、排放監測、FTIR、TDLAS、氣體分析儀、燃燒控制 波段、D* / 響應度、反應時間、冷卻方式、封裝、推薦放大器 目標氣體、波長範圍、濃度範圍、反應速度、量測距離、數量與交期
模組化紅外線感測 LabM / microM / UM / UHSM / 32MM / 32EM 儀器開發、移動式平台、多點感測、系統整合、快速樣機 頻寬、輸出介面、模組尺寸、供電、散熱、多通道同步 平台架構、輸出需求、空間限制、資料讀取方式、是否需 DevKit
訊號鏈驗證與配件整合 DevKit、AIP / PIP / MIP / SIP / FIP、TEC controller、power supply 研發部門、學研單位、系統整合前期驗證、樣機測試 DC / AC coupling、gain、bandwidth、SMA 輸出、digital processing、USB 欲搭配的偵測器或模組、測試環境、軟體需求、可接受的訊號介面
光電材料與晶圓服務 Epi-Wafers、III-V / II-VI 族磊晶結構 半導體材料、QCL、VCSEL、光偵測器、電晶體、光電元件研發 材料系統、磊晶結構、晶圓尺寸、數量級距、試作或量產規劃 材料需求、wafer size、目標元件、數量、交期、是否需原廠工程討論
高階中波紅外線陣列專案 MWIR FPA、專案型 detection module 高階熱偵測、成像前端、科研平台、專案型感測模組開發 波段、像素格式、pixel pitch、冷卻方式、讀出介面、平台整合條件 應用範圍、規格需求、專案階段、授權資料需求、預估數量與時程

產品族群選型速查表

產品族群常見條件適用方向詢問時建議提供
紅外線偵測器InAs / InAsSb / HgCdTe、光伏 / 光導、多接面架構、熱電冷卻或液態氮冷卻氣體分析、光譜量測、雷射監測、非接觸溫度量測、客製系統波段、目標氣體或光源、反應速度、封裝、冷卻方式、有效感測面積
偵測模組LabM、AMS、AMIS、microM、UM、UHSM、32MM、32EM 等系列縮短訊號鏈設計時間、快速整合、系統驗證、多通道感測輸出介面、頻寬、供電、散熱、尺寸、是否需要配件或 DevKit
DevKit 快速驗證套件放大器、濾波、SMA 輸出、數位處理、USB 連接與軟體範例實驗室驗證、概念驗證、早期訊號鏈建立、系統整合前期評估欲搭配的偵測器 / 模組、頻寬、輸出形式、資料讀取方式、測試環境
Epi-Wafers 磊晶晶圓材料III-V / II-VI 族磊晶結構,2 / 3 / 4 / 6-inch waferQCL、VCSEL、光偵測器、電晶體、太陽能電池、光電材料研發材料系統、基板尺寸、結構需求、數量、試作或量產時程

DevKit 訊號鏈示意

01

偵測器 / 模組

確認 AMS / AM0 模組或 TO46 / SMD 偵測器版本。

02

訊號放大

依需求確認直流 / 交流耦合、增益、頻寬與偏移條件。

03

濾波與輸出

配置低通濾波或 SMA 訊號輸出,方便接示波器或後端系統。

04

數位處理

透過數位處理板建立訊號處理與資料路徑。

05

USB / 軟體

連接電腦並評估 Python / C 範例程式與資料讀取方式。

06

系統評估

確認配件組合、操作限制、接頭壽命、散熱與後續整合條件。

選型條件

條件 01波長 / 波段依目標氣體、光源或樣品確認 3 μm、4 μm、5 μm、8–14 μm、10.6 μm 等區間。
條件 02偵測能力 / 響應度依訊號強度、雜訊、偵測靈敏度與系統訊噪比需求評估偵測器等級。
條件 03反應速度 / 頻寬依低頻、kHz、MHz、高速或 GHz 等需求確認偵測器與放大器方向。
條件 04有效感測面積依光束尺寸、收光效率、光學浸沒技術與系統機構限制確認有效感測面積。
條件 05冷卻 / 封裝確認 uncooled、熱電冷卻、LN2,以及 TO46、TO8、SMD、module 等條件。
條件 06訊號鏈與配件確認訊號放大、濾波、SMA 輸出、數位處理、USB、TEC 控制器、電源與散熱需求。

產品族群

紅外線偵測器紅外線偵測器涵蓋 InAs、InAsSb、HgCdTe 等材料系統,可依光伏、光導、多接面等偵測架構與高速量測需求進行評估。
偵測模組偵測模組包含 AMS、AMIS、LabM、microM、UM、UHSM、32MM、32EM 等模組系列,適合縮短訊號鏈與機構整合時間。
多通道陣列多通道陣列適合多點監測、移動式偵測、空中平台、追蹤定位、成像前端與平台整合評估。
快速驗證套件DevKit 快速驗證套件適合 AMS / AM0 模組與 TO46 / SMD 偵測器的早期驗證、訊號鏈測試與實驗室導入。
磊晶晶圓材料Epi-Wafers 磊晶晶圓材料支援 III-V / II-VI 族磊晶結構,適用於 QCL、VCSEL、光偵測元件、電晶體與太陽能電池研發。
客製工程標準品 / 規格調整 / 客製設計協助確認精選型號、標準品、規格調整與客製設計的可行性,並彙整原廠工程討論所需條件。

半導體製程、工業排放與氣體監測

適用需求

適用於製程氣體濃度監測、污染物與可燃氣體偵測、非接觸式溫度量測、熱處理 / 乾燥 / 固化製程品質監控、 危險區域遠端量測與工廠巡檢。

建議提供條件

目標氣體、波段或吸收線、量測距離、濃度範圍、反應速度、環境溫度、是否需抗電磁干擾、 是否需車載、空載或固定式平台整合。

TDLAS / FTIR / 光譜分析

3 μmH₂O / HF / CH₄ 等應用適合特定氣體分析、燃燒控制、綠能應用與醫療雷射控制等方向。
4 μmCH₄ / HCl / NH₃ / SO₂ / CO₂適合氣體偵測、排放控制、脫硝製程、爆炸預防與呼氣分析等方向。
5 μmCO / CO₂ / NOx / 洩漏偵測適合氣體洩漏偵測、燃燒控制、非破壞材料檢測與工業 / 實驗室溫度監測。

無人機與移動式氣體偵測

平台方向

可評估無人機、車載、手持、固定式監測站與多點感測架構。重點在偵測器或模組的體積、功耗、反應速度、 光學配置、資料輸出與平台震動 / 溫度條件。

SMART 協助項目

協助整理目標氣體、量測距離、平台限制、資料輸出、公開規格資料、陣列 / 模組選擇,以及是否需要原廠進一步確認。

DevKit 快速驗證套件

01

偵測器 / 模組

確認 AMS / AM0 偵測模組或 TO46 / SMD 偵測器版本。

02

訊號放大器

確認直流 / 交流耦合、增益、頻寬與偏移條件。

03

濾波與訊號輸出

依實驗需求配置低通濾波或 SMA 訊號輸出。

04

數位訊號處理

透過數位處理板建立資料處理路徑。

05

USB 與軟體讀取

連接電腦並評估 Python / C 範例程式與資料讀取流程。

06

SMART 技術確認

確認配件組合、操作限制、機構固定、接頭壽命與後續量測配置。

Epi-Wafers 磊晶晶圓材料

材料平台III-V / II-VI 族磊晶結構支援光電元件、雷射、光偵測器、電晶體與太陽能電池相關研發。
應用方向QCL / VCSEL / 光偵測元件適合半導體光電、紅外線光源、感測元件與材料平台開發。
晶圓格式2 / 3 / 4 / 6-inch wafer可依用途、晶圓尺寸、數量、試作或量產需求整理材料條件,交由原廠確認。

關鍵技術與專案詢問

抗干涉技術降低光學干涉雜訊適用於雷射吸收光譜與高精度氣體監測,可作為偵測器技術條件確認項目。
浸沒式微透鏡提升有效收光面積與偵測能力適合高靈敏度、小面積與低電容需求的紅外線偵測器選型討論。
中波紅外焦平面陣列高階中波紅外線陣列專案以高階影像感測與熱偵測專案詢問呈現,公開頁面避免使用敏感應用描述。
中紅外光子積體電路中紅外光子整合技術前瞻定位為中長期技術布局與專案討論項目,不列為一般標準品販售入口。

提交詢問時建議提供

應用與市場:製程監測、氣體分析、TDLAS、FTIR、移動式平台、材料、快速驗證套件、磊晶晶圓或高階中波紅外線專案。
波段 / 目標:波長範圍、目標氣體、樣品、光源、偵測距離、濃度、溫度與反應速度。
整合條件:冷卻、封裝、功耗、尺寸、頻寬、輸出介面、軟體讀取、平台限制與數量。
資料需求:公開規格資料、完整型錄、DevKit 快速驗證套件設定資料、材料規格、替代型號、報價或原廠技術確認。
授權與資料控管: 本目錄為 SMART 自行整理的技術摘要與選型導覽。完整原廠資料、需授權文件與專案型技術資料,請透過 SMART 確認可分享範圍後提供。

VIGO Photonics Taiwan Support

紅外線偵測器、光電模組與無人機感測應用支援

弘燁科技協助研發、工程與採購團隊評估 VIGO Photonics 紅外線偵測器、Detection Modules、光電偵測模組、Epi-Wafers、TDLAS / FTIR、氣體偵測、無人機感測與工業監測應用,提供型號比對、規格確認與台灣技術洽詢窗口。

紅外線偵測器與模組

支援 cooled / uncooled detector、photodetector module、Detection Module 與前端讀出需求評估。

氣體偵測與無人機感測

協助 TDLAS、FTIR、氣體監測、UAV payload、工業巡檢與安全監測應用選型。

規格比對與技術洽詢

依波段、響應速度、封裝、冷卻條件與系統整合需求,協助確認適合的 VIGO 產品方向。