VIGO PHOTONICS · SMART TAIWAN
VIGO III-V 外延片與光電結構
Epi-Wafers
依光電元件與製程需求評估 GaAs、InP 系列 III-V 外延結構。可從 InGaAs 光偵測器、VCSEL 或 QCL 的結構需求開始，由 SMART 協助整理材料、基板與驗證條件並與原廠確認。
規格與配置
| 基板／材料方向 | GaAs-based and InP-based III-V structures |
|---|---|
| 光偵測器 | InGaAs PD epi-structures |
| 雷射結構 | VCSEL / QCL / edge-emitting laser structures |
| 供應方式 | Custom structure and project quotation |
| 首輪需求 | Target device, substrate, stack, dimensions, characterisation and volume |
Custom structures: specifications, tolerances and acceptance criteria are agreed per project.
典型值不等於保證值；完整測試條件、最小／最大值與安全限制請參閱原廠英文規格書。不同頻率下的 D* 不宜直接比較。
選型與整合重點
- 請提供層結構、摻雜、基板規格、目標波長、晶圓尺寸及表徵方法；未定案者可先提供元件用途。
- 外延片是後續製程的材料，不等同完成封裝的雷射、感測器或即用模組。
- 小批驗證與量產供應依結構可行性、驗收要求及原廠排程個別確認。
原廠英文文件與資料
提供需求，開始選型評估
請提供型號或應用、波長、訊號頻寬、數量及預計交期；尚未確定的項目可先留待討論。
提交 VIGO 需求