VIGO PHOTONICS · SMART TAIWAN
AMS3140-01 紅外線偵測模組
AMS3140-01
整合差動放大器與溫度控制器的 InAsSb 中紅外線模組，提供單通道氣體分析、光譜及嵌入式感測的選型起點。以 3.3 V 供電，支援 −20°C／20°C 晶片工作點的規格比較。
規格與配置
| 材料／偵測方式 | InAsSb / photovoltaic |
|---|---|
| 感測／光學面積 | 1 × 1 mm (active area) |
| 典型光譜範圍 | 2.0–5.5 μm (Tchip −20°C) |
| 峰值波長 | 4.0 μm (typ.) |
| 典型響應 | 400 V/W (λpeak) |
| 典型 D* | 2.0 × 10⁹ cm·Hz½/W (λpeak, 1 kHz) |
| 典型頻寬 | DC–4.0 MHz (Rload 50 Ω) |
| 供電 | 3.3 V |
| 訊號輸出 | 差動類比輸出 |
| 冷卻／溫控 | 1TE，內建控制器 |
| 外形／介面 | 30 × 19 × 10 mm; board-to-board connector |
Tamb = 20°C; Tchip = −20°C; +3.3 V; Rload = 1 MΩ to ground unless noted; fhi at Rload = 50 Ω.
典型值不等於保證值；完整測試條件、最小／最大值與安全限制請參閱原廠英文規格書。不同頻率下的 D* 不宜直接比較。
原廠光譜響應
溫度與讀出條件
| Tchip | 光譜範圍（10%） | 峰值響應 | 高截止頻率 |
|---|---|---|---|
| −20°C | 2.0–5.5 μm | 400 V/W | 4.0 MHz |
| 20°C | 2.0–5.9 μm | 360 V/W | 3.0 MHz |
Tamb = 20°C；高截止頻率於 Rload = 50 Ω 測得。溫控與散熱條件會影響可用工作點。
選型與整合重點
- 內建溫控仍需設計散熱器與導熱介面；能否維持設定溫度取決於環境溫度、供電及散熱。
- 差動類比輸出須匹配接收／ADC 電路、負載與輸入範圍，不是 USB 或數位輸出介面。
- 請提供實際波長、光斑、光功率及調變頻率；不能只依截止波長或單一 D* 數字選型。
從模組到量測系統
- 光源／量測目標
- 濾光片與光學耦合
- 紅外線偵測模組
- 差動接收／ADC
- 訊號處理與校正
模組提供感測及類比訊號鏈的一部分；完整量測仍需配置光學、電源、讀出與校正。
原廠英文文件與資料
V14.0 · 2026-08-24
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請提供型號或應用、波長、訊號頻寬、數量及預計交期；尚未確定的項目可先留待討論。
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