VIGO PHOTONICS · SMART TAIWAN
PVIA-4TE-10 紅外線偵測器
PVIA-4TE-10-1x1-TO8-wZnSeAR-36
四階熱電冷卻的 InAsSb 超晶格光伏型偵測器，具光學浸沒結構與抗反射 ZnSe 楔角窗。可用於長波紅外線光譜、FTIR 與雷射量測配置評估。
規格與配置
| 材料／偵測方式 | InAsSb superlattice / photovoltaic |
|---|---|
| 典型光譜範圍 | 1.8–11.3 μm (10% response) |
| 峰值波長 | 6.7 μm (typ.) |
| 光學面積 | 1 × 1 mm |
| 冷卻／晶片溫度 | 4TE / approximately 200 K |
| 封裝／入射角 | TO8 / approximately 36° |
| 典型 D* | 1.0 × 10¹⁰ cm·Hz½/W (λpeak, 20 kHz) |
| 典型電流響應 | 0.55 A/W (λpeak) |
| 典型時間常數 | 3 ns |
Tamb = 293 K; Tchip = 200 K; Vb = 0 V.
典型值不等於保證值；完整測試條件、最小／最大值與安全限制請參閱原廠英文規格書。不同頻率下的 D* 不宜直接比較。
原廠光譜響應
選型與整合重點
- 請核對實際波長處的響應，不應將光譜截止波長視為全波段等效靈敏度。
- CO₂ 雷射量測需額外確認入射功率、光斑、衰減與線性範圍；偵測器不能直接承受任意雷射功率。
- 前置放大器、TEC 控制器、散熱及光學配置須一併確認；不是完整氣體分析儀。
原廠英文文件與資料
提供需求，開始選型評估
請提供型號或應用、波長、訊號頻寬、數量及預計交期；尚未確定的項目可先留待討論。
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