VIGO PHOTONICS · SMART TAIWAN
PVA-3TE-5 AF 抗干涉紅外線偵測器
PVA-3TE-5-AF1x1AR-TO8-wAl2O3AR-70
三階熱電冷卻 InAsSb 偵測器，採抗干涉設計與抗反射鍍膜，供可調諧雷射光譜等需控制 etalon／fringing 的量測架構評估。抗干涉設計波段與整體光譜響應範圍應分開確認。
規格與配置
| 材料／偵測方式 | InAsSb / photovoltaic |
|---|---|
| 典型光譜範圍 | 1.64–5.8 μm (10% response) |
| 抗干涉設計波段 | 1.4–4.0 μm |
| 峰值波長 | 4.0 μm (typ.) |
| 感測面積 | 1 × 1 mm; no optical immersion |
| 冷卻／晶片溫度 | 3TE / approximately 210 K |
| 封裝／入射角 | 2° wedged TO8 cap / approximately 70° |
| 典型 D* | 1.4 × 10¹⁰ cm·Hz½/W (λpeak, 20 kHz) |
| 典型電流響應 | 2.0 A/W (λpeak) |
| 典型時間常數 | 124 ns |
Tamb = 293 K; Tchip = 210 K; Vb = 0 V.
典型值不等於保證值；完整測試條件、最小／最大值與安全限制請參閱原廠英文規格書。不同頻率下的 D* 不宜直接比較。
原廠光譜響應
選型與整合重點
- 適合評估 TDLAS、CRDS、CEAS 等雷射量測架構；請先確認實際雷射波長與掃描方式。
- 窗片、入射角、光斑及外部光學也會影響干涉，不能只以型號保證整機消除 fringing。
- 原廠列有 AIP、PIP、MIP、SIP-TO8 放大器系列；增益、頻寬與 TEC 配置須按需求確認。
原廠英文文件與資料
提供需求，開始選型評估
請提供型號或應用、波長、訊號頻寬、數量及預計交期；尚未確定的項目可先留待討論。
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