VIGO PHOTONICS · SMART TAIWAN
PVIA-4TE-4 紅外線偵測器
PVIA-4TE-4-1x1-TO8-wAl2O3-36
四階熱電冷卻的 InAsSb 光伏型偵測器，採光學浸沒結構與楔角藍寶石窗。適合以中紅外線訊號進行氣體分析、光譜與光電量測的元件選型。
規格與配置
| 材料／偵測方式 | InAsSb / photovoltaic |
|---|---|
| 典型光譜範圍 | ≤2.0–4.7 μm (10% response) |
| 峰值波長 | 3.5 μm (typ.) |
| 光學面積 | 1 × 1 mm |
| 冷卻／晶片溫度 | 4TE / approximately 200 K |
| 封裝／入射角 | TO8 / approximately 36° |
| 典型 D* | 3.7 × 10¹¹ cm·Hz½/W (λpeak, 20 kHz) |
| 典型電流響應 | 1.7 A/W (λpeak) |
| 典型時間常數 | 30 ns |
Tamb = 293 K; Tchip = 200 K; Vb = 0 V.
典型值不等於保證值；完整測試條件、最小／最大值與安全限制請參閱原廠英文規格書。不同頻率下的 D* 不宜直接比較。
原廠光譜響應
選型與整合重點
- 光學面積為浸沒結構的有效光學尺寸；光斑、入射角與耦合方式須一起確認。
- 此為偵測元件，須配置讀出／前置放大、TEC 控制器及散熱結構。
- 請提供實際量測波長、調變頻率與光功率；氣體種類本身不足以決定型號。
原廠英文文件與資料
提供需求，開始選型評估
請提供型號或應用、波長、訊號頻寬、數量及預計交期；尚未確定的項目可先留待討論。
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