VIGO PHOTONICS · SMART TAIWAN
32EM-5-01｜32 通道 HgCdTe 中紅外線模組
32EM-5-01
採 32 元件線性 HgCdTe 光伏型陣列，整合第一級跨阻放大器，供多點中紅外線量測評估。使用時仍需外接 TEC 控制器與散熱結構。
規格與配置
| 材料 | HgCdTe heterostructure |
|---|---|
| 典型光譜範圍 | 2.0–5.6 μm (10% response) |
| 通道／排列 | 32 / one linear row |
| 單元感測面積 | 0.125 × 1.000 mm |
| 元件間距 | 0.15 mm |
| 冷卻／晶片溫度 | 3TE / approximately 230 K |
| 典型頻寬 | DC–400 kHz |
| 典型 D* | 5.0 × 10⁹ cm·Hz½/W (λpeak, 10 kHz) |
| TEC 控制器 | 外接 |
| 讀出 | 32-channel first-stage transimpedance amplifier |
Tamb = 293 K; Tchip = 230 K; Rload = 1 MΩ.
典型值不等於保證值；完整測試條件、最小／最大值與安全限制請參閱原廠英文規格書。不同頻率下的 D* 不宜直接比較。
原廠光譜響應
選型與整合重點
- 此為線性陣列，不是 32MM-5 的二維排列；光學成像與掃描架構須依通道位置設計。
- 需外接 TEC 控制器；原廠建議散熱器熱阻約 2 K/W，仍應按環境與安裝條件確認。
- 請先提供讀出方式、同步需求、輸出範圍與 DAQ 規格，再確認後級電子電路。
原廠英文文件與資料
提供需求，開始選型評估
請提供型號或應用、波長、訊號頻寬、數量及預計交期；尚未確定的項目可先留待討論。
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